晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
臺灣加高晶體 H.ELE -
進口京瓷晶體 KYOCERA -
日本NDK晶體 進口NDK晶體 -
日本大河晶體 RIVER -
美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺灣希華晶體 臺灣希華 -
臺灣鴻星晶體 HOSONIC -
臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振 -
AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek貼片晶體 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蝕晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT進口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒溫晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器 -
維管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶體 -
康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶體 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美國NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號：20662741
- 頻率：13.000~52.000MHZ
- 尺寸：2.5*2.0*0.8mm 詳細資料請查看PDF
- 產品描述：廣泛應用于軍事,工業機械,移動通訊,數碼電子,醫療設備,智能電表,汽車電子,數位單眼相機和可穿戴運動裝置設備等產品.
溫補晶振,貼片晶振,TXC晶振,7L晶振
臺灣晶技晶振,7L晶振,2520晶體,溫補晶振
頻率范圍13.000MHZ-52.000MHZ
電源電壓:1.8V
頻率老化: ±1.5ppm
工作溫度: -30℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±0.5 ppm
輸出方式：COMS
尺寸：小體積2.5*2.0*0.8mm
應用：GPS定位系統、北斗導航定位系統、汽車電子、家用醫療儀、無線發射基站、太陽能追日系統等產品。
臺灣晶技股份有限公司（臺灣證券交易所代碼：3042）總部位於臺灣北投工業園區，是全球規模第七大的專業石英晶振頻率控制元件制造服務公司，為一專業之頻率控制元件制造商.多年來，我們始終以提升客戶價值為目標，提供客戶各種石英晶體振蕩器到模塊化設計（Design In）需求的完全整合方案，以滿足客戶全方位的需求；在價格、質量、交貨期、服務等方面，晶技的表現，始終超越客戶的期待。
臺灣晶技晶振,7L晶振,2520晶體,溫補晶振，是臺灣TXC品牌的一款小體積帶有溫度補償功能的晶體振蕩器，本身具有±0.5ppm的超高精度，電源電壓低至1.8V~3.3V，也就是說功耗只有2.0mA Max.，并且通過了國際ROHS規定標準，是一款環保晶振，7L晶振主要16.367667M、16.368M、16.369M、19.2M、26M、33.6M、38.4M和40M。
| 晶振型號/輸出類型 | 7L晶振,臺灣TXC晶體 |
| 晶振類型 | TCXO振蕩器 |
| 占空比 | 45 % ~ 55 % |
| 振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
| 電源電壓 | 1.8V |
| 頻率范圍2 | 13.000MHZ-52.000MHZ |
| 頻率穩定度 | ±0.5ppm |
| 工作溫度 | -30~+85℃ |
| 保存溫度 | -40~+85℃ |
| 電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） | 0.1VDD/0.9VDD |
| 啟動時間 | 3 ms Max. |
| 相位抖動（12千赫?20兆赫） | 1個PS最大。 |
| 老化率 | ±5ppm /年最大。 |
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如溫補振蕩器從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致TXC晶振產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞貼片石英晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
1.驅動能力
驅動能力說明所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過單元的電流，
Re表示單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2.振蕩補償
除非在電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極.jpg)
3.負載電容
如果電路中負載電容的不同，可能導致溫補晶體振蕩器頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
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振蕩回路參數設置參考
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